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IGBT模塊如何做好保護(hù)
日期：2025-05-04 13:31
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摘要：
眾所周知，IIGBT模塊是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現(xiàn)意外就會使它損壞。為此，必須對IGBT進(jìn)行相關(guān)保護(hù)。一般我們從過流、過壓、過熱三方面進(jìn)行IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)。
IGBT模塊承受過電流的時間僅為幾微秒，耐過流量小，因此使用IGBT首要注意的是過流保護(hù)。那么該如何根據(jù)IGBT的驅(qū)動要求設(shè)計(jì)過流保護(hù)呢?
IGBT的過流保護(hù)可分為兩種情況：(1) 驅(qū)動電路中無保護(hù)功能;(2) 驅(qū)動電路中設(shè)有保護(hù)功能。對于**種情況，我們可以在主電路中要設(shè)置過流檢測器件;針對**種情況，由于不同型號的混合驅(qū)動模塊，其輸出能力、開關(guān)速度與du/dt的承受能力不同，使用時要根據(jù)實(shí)際情況恰當(dāng)選用。對于大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護(hù)則可以通過封鎖驅(qū)動信號或者減小柵壓來進(jìn)行保護(hù)。
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